BSM75GAR120DN2

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

IS4 (34 mm )-5

取り付けスタイル：

シャーシマウント

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

1200 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

2.5 V

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

25℃での連続コレクタ電流：

100 A

Pd-消費電力：

625 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

トレイ

高さ：

30.5 mm

長さ：

94 mm

幅：

34 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

連続コレクタ電流：

105 A

ゲートエミッタリーク電流：

400 nA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

10

サブカテゴリ：

IGBT

パーツ番号エイリアス：

BSM75GAR120DN2HOSA1 SP000100462

単位重量：

5.436423 oz

Tags

BSM75GAR12, BSM75GAR, BSM75GA, BSM75G, BSM75, BSM7, BSM