VS-GB200TH120N

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

IGBTモジュール

構成：

ハーフブリッジ

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

1.2 kV

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.9 V

25℃での連続コレクタ電流：

360 A

ゲートエミッタリーク電流：

400 nA

Pd-消費電力：

1.136 kW

パッケージ/ケース：

INT-A-PAK

最高作動温度：

+ 150 C

ブランド：

ビシェイ半導体

取り付けスタイル：

シャーシマウント

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

製品タイプ：

IGBTモジュール

ファクトリーパックの数量：

12

サブカテゴリ：

IGBT

Tags

VS-GB200T, VS-GB2, VS-GB, VS-G