ATF-511P8-TR1

製品属性

属性値

メーカー：

Broadcom Limited

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

EpHEMT

テクノロジー：

GaAs

利得：

14.8 dB

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

7 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

- 5 V to 1 V

Id-連続ドレイン電流：

1 A

最大ドレインゲート電圧：

- 5 V to + 1 V

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

3 W

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

LPCC-8

包装：

リール

構成：

シングルデュアルソース

動作周波数：

2 GHz

製品：

RF JFET

タイプ：

GaAs EpHEMT

ブランド：

Broadcom / Avago

フォワード相互コンダクタンス-最小：

2178 mmho

NF-雑音指数：

1.4 dB

P1dB-圧縮ポイント：

30 dBm

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

ATF-511P8-TR1, ATF-511P8-T, ATF-511, ATF-51, ATF-5, ATF