ZXTN2010ZQTA

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

80 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

190 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

8.1 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

230 mV

最大DCコレクタ電流：

20 A

ゲイン帯域幅積fT：

130 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

ZXTN2010

DC電流ゲインhFEMax：

300

ブランド：

組み込まれたダイオード

連続コレクタ電流：

5 A

Pd-消費電力：

1.5 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

ZXTN2010Z, ZXTN2010, ZXTN201, ZXTN20, ZXTN2, ZXTN, ZXT