CMNDM8001 TR

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-953

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

200 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.4 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

658 pC

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

250 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

CMNDM

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

セントラルセミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

100 mS

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

80 ns

典型的なターンオン遅延時間：

35 ns

パーツ番号エイリアス：

CMNDM8001 PBFREE TR

Tags

CMNDM, CMND, CMN