RSQ020N03TR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-457T-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

96 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

2.2 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.25 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.85 mm

長さ：

2.9 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

RSQ020N03

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

1.6 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

9 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

16 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7 ns

パーツ番号エイリアス：

RSQ020N03

Tags

RSQ020, RSQ02, RSQ0, RSQ