EMD4DXV6T5G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-プリバイアス

JBoss：

Y

構成：

デュアル

トランジスタの極性：

NPN、PNP

一般的な入力抵抗：

47 kOhms

典型的な抵抗比：

1, 0.21

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-553-5

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

80

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

連続コレクタ電流：

0.1 A

ピークDCコレクタ電流：

100 mA

Pd-消費電力：

357 mW

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

EMD4DXV6

包装：

リール

DC電流ゲインhFEMax：

80

高さ：

0.55 mm

長さ：

1.6 mm

幅：

1.2 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

チャネル数：

2 Channel

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ-プリバイアス

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000099 oz

Tags

EMD4DXV6T, EMD4D, EMD4, EMD