NP180N04TUG-E1-AY

製品属性

属性値

メーカー：

ルネサスエレクトロニクス

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-7

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

180 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.2 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

260 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

288 W

構成：

独身

包装：

チューブ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

ルネサスエレクトロニクス

フォワード相互コンダクタンス-最小：

107 S

立ち下がり時間：

21 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

43 ns

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

104 ns

典型的なターンオン遅延時間：

54 ns

単位重量：

0.077603 oz

Tags

NP180N04TU, NP180N04, NP180N, NP180, NP18, NP1