NTJD1155LT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SC-88-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

8 V

Id-連続ドレイン電流：

1.3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

175 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

400 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

400 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.9 mm

長さ：

2 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

NTJD1155L

トランジスタタイプ：

2 P-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

1.25 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.001093 oz

Tags

NTJD1155LT1G, NTJD1155L, NTJD1, NTJD, NTJ