SI4966DY-T1-GE3

SI4966DY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4966DY-T1-GE3
メーカー:
Vishay
説明:
RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 7.1A 2.0W 25mohm @ 4.5V
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
SI4966DY-T1-GE3 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
製品属性
属性値
メーカー
Vishay Siliconix
製品カテゴリ
FET-アレイ
シリーズ
TrenchFETR
包装
テープ&リール(TR)
パーツエイリアス
SI4966DY-GE3
単位重量
0.006596 oz
取り付けスタイル
SMD / SMT
パッケージ-ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
テクノロジー
Si
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
表面実装
チャネル数
2 Channel
サプライヤー-デバイス-パッケージ
8-SO
構成
デュアル
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
パワーマックス
2W
トランジスタタイプ
2 N-Channel
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
20V
入力-静電容量-Ciss-Vds
-
FET機能
ロジックレベルゲート
Current-Continuous-Drain-Id-25°C
-
Rds-On-Max-Id-Vgs
25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
1.5V @ 250μA
ゲートチャージ-Qg-Vgs
50nC @ 4.5V
Pd-電力損失
2 W
最高作動温度
+ 150 C
最低作動温度
- 55 C
立ち下がり時間
40 ns
立ち上がり時間
40 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
12 V
Id-連続-ドレイン-電流
7.1 A
Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧
20 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
25 mOhms
トランジスタ-極性
Nチャネル
典型的なターンオフ遅延時間
90 ns
典型的なターンオン遅延時間
40 ns
チャネルモード
強化
Tags
SI4966DY-T, SI4966D, SI4966, SI496, SI49, SI4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 20V 7.1A 8-Pin SOIC N T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
モデル メーカー 説明 ストック 価格
SI4966DY-T1-GE3
DISTI # SI4966DY-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI4966DY-T1-GE3
    DISTI # 781-SI4966DY-GE3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 7.1A 2.0W 25mohm @ 4.5V
    RoHS: Compliant
    0
      画像 モデル 説明
      SI4966DY-T1-E3

      Mfr.#: SI4966DY-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI4966DY-T1-E3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI9926CDY-T1-GE3
      SI4966DY-T1-GE3

      Mfr.#: SI4966DY-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI4966DY-T1-GE3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI9926CDY-T1-GE3
      SI4966DY-T1-GE3

      Mfr.#: SI4966DY-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI4966DY-T1-GE3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 7.1A 2.0W 25mohm @ 4.5V
      SI4966DY

      Mfr.#: SI4966DY

      OMO.#: OMO-SI4966DY-1190

      MOSFET 20V 7.1A 2W
      SI4966DY-E3

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      MOSFET 20V 7.1A 2W
      SI4966DY-T1

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      MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI9926CDY-E3
      SI4966DY-T1-E3

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      MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
      SI4966DYT1

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      OMO.#: OMO-SI4966DYT1-1190

      ブランドニューオリジナル
      可用性
      ストック:
      Available
      注文中:
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