SI6973DQ-T1-E3

SI6973DQ-T1-E3
Mfr. #:
SI6973DQ-T1-E3
メーカー:
Vishay
説明:
RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 4.8A 4.8W
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
SI6973DQ-T1-E3 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
製品属性
属性値
メーカー
Vishay Siliconix
製品カテゴリ
FET-アレイ
シリーズ
TrenchFETR
包装
テープ&リール(TR)
パーツエイリアス
SI6973DQ-E3
単位重量
0.005573 oz
取り付けスタイル
SMD / SMT
商標名
TrenchFET
パッケージ-ケース
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
テクノロジー
Si
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
表面実装
チャネル数
2 Channel
サプライヤー-デバイス-パッケージ
8-TSSOP
構成
デュアル
FETタイプ
2 P-Channel (Dual)
パワーマックス
830mW
トランジスタタイプ
2 P-Channel
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
20V
入力-静電容量-Ciss-Vds
-
FET機能
ロジックレベルゲート
Current-Continuous-Drain-Id-25°C
4.1A
Rds-On-Max-Id-Vgs
30 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
450mV @ 250μA (Min)
ゲートチャージ-Qg-Vgs
30nC @ 4.5V
Pd-電力損失
830 mW
最高作動温度
+ 150 C
最低作動温度
- 55 C
立ち下がり時間
27 ns
立ち上がり時間
27 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
8 V
Id-連続-ドレイン-電流
4.1 A
Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧
- 20 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
30 mOhms
トランジスタ-極性
Pチャネル
典型的なターンオフ遅延時間
93 ns
典型的なターンオン遅延時間
27 ns
チャネルモード
強化
Tags
SI6973DQ-T, SI6973D, SI6973, SI697, SI69, SI6
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
***
DUAL P-CH 1.8V (G-S) MOSFET
***ser
Dual MOSFETs 20V 4.8A 4.8W
***ark
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-20V; Continuous Drain Current, Id:-4.1A; On Resistance, Rds(on):0.03ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V; Package/Case:8-TSSOP ;RoHS Compliant: Yes
モデル メーカー 説明 ストック 価格
SI6973DQ-T1-E3
DISTI # SI6973DQ-T1-E3-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI6973DQ-T1-E3
    DISTI # 781-SI6973DQ-E3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 4.8A 4.8W
    RoHS: Compliant
    0
      SI6973DQ-T1
      DISTI # 781-SI6973DQ
      Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 4.8A 4.8W
      RoHS: Not compliant
      0
        画像 モデル 説明
        SI6973DQ-T1-E3

        Mfr.#: SI6973DQ-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI6973DQ-T1-E3

        MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6913DQ-GE3
        SI6973DQ-T1-E3

        Mfr.#: SI6973DQ-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI6973DQ-T1-E3-VISHAY

        RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 4.8A 4.8W
        SI6973DQ-T1-GE3

        Mfr.#: SI6973DQ-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI6973DQ-T1-GE3-VISHAY

        MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
        SI6973DQ

        Mfr.#: SI6973DQ

        OMO.#: OMO-SI6973DQ-1190

        ブランドニューオリジナル
        SI6973DQ-T1

        Mfr.#: SI6973DQ-T1

        OMO.#: OMO-SI6973DQ-T1-1190

        MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6913DQ-GE3
        可用性
        ストック:
        Available
        注文中:
        2500
        数量を入力してください:
        SI6973DQ-T1-E3の現在の価格は参考用です。最高の価格をご希望の場合は、お問い合わせまたは直接メールで営業チーム[email protected]までご連絡ください。
        参考価格(USD)
        単価
        小計金額
        1
        $0.00
        $0.00
        10
        $0.00
        $0.00
        100
        $0.00
        $0.00
        500
        $0.00
        $0.00
        1000
        $0.00
        $0.00
        2021年から半導体が不足しているため、2021年以前の通常価格以下の価格です。お問い合わせください。
        皮切りに
        Top