FQB34P10TM-F085P

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

D2PAK-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

33.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

49 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

85 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

155 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

23 S

立ち下がり時間：

210 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

250 ns

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

160 ns

典型的なターンオン遅延時間：

25 ns

パーツ番号エイリアス：

FQB34P10TM_F085P

単位重量：

0.051500 oz

Tags

FQB34P10TM-F, FQB34P10T, FQB34P, FQB34, FQB3, FQB