SD2931-11

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

20 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

125 V

利得：

15 dB

出力電力：

150 W

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

取り付けスタイル：

スクリューマウント

パッケージ/ケース：

M-174

包装：

バルク

構成：

シングルデュアルソース

高さ：

7.11 mm (Max)

長さ：

24.89 mm (Max)

動作周波数：

230 MHz

シリーズ：

SD2931

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

12.83 mm (Max)

ブランド：

STMicroelectronics

チャネルモード：

強化

Pd-消費電力：

389 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Tags

SD2931-11, SD2931-1, SD2931, SD293, SD29, SD2