IXFT52N50P2

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-268-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

Id-連続ドレイン電流：

52 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

120 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

960 W

構成：

独身

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

シリーズ：

IXFT52N50

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

PolarP2 HiperFET Power MOSFET

ブランド：

IXYS

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.158733 oz

Tags

IXFT52, IXFT5, IXFT, IXF