TN2535N8-G

Mfr. #:: TN2535N8-G
メーカー:
説明:: RF Bipolar Transistors MOSFET 350V 10Ohm
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: TN2535N8-G データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

製品属性
属性値

メーカー

製品カテゴリ: ICチップ

包装: リール

単位重量: 0.001862 oz

取り付けスタイル: SMD / SMT

パッケージ-ケース: SOT-89-3

テクノロジー: Si

チャネル数: 1 Channel

構成: 独身

トランジスタタイプ: 1 N-Channel

Pd-電力損失: 1.6 W

最高作動温度: + 150 C

最低作動温度: - 55 C

立ち下がり時間: 15 ns

立ち上がり時間: 15 ns

Vgs-Gate-Source-Voltage: 20 V

Id-連続-ドレイン-電流: 283 mA

Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧: 350 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance: 10 Ohms

トランジスタ-極性: Nチャネル

典型的なターンオフ遅延時間: 25 ns

典型的なターンオン遅延時間: 20 ns

チャネルモード: 強化

Tags: TN253, TN25, TN2

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Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
TN2535N8-G DISTI # 689-TN2535N8-G	Microchip Technology Inc	MOSFET 350V 10Ohm RoHS: Compliant	0
TN2535N8 DISTI # 689-TN2535N8	Microchip Technology Inc	MOSFET 350V 10Ohm RoHS: Not compliant	0