VNB20N0713TR

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

70 V

Id-連続ドレイン電流：

20 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

50 mOhms

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

83 W

構成：

独身

包装：

リール

シリーズ：

VNB20N07

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

ローサイド

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

150 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

240 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.139332 oz

Tags

VNB20, VNB2, VNB