SQ2364EES-T1_GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

240 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

460 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

2.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

3 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

8.8 S

立ち下がり時間：

13 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

11 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

26 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6 ns

Tags

SQ236, SQ23, SQ2