DMN13M9UCA6-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、NPN

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

12 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

500 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

56.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.67 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

6208 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

1694 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

4749 ns

典型的なターンオン遅延時間：

603 ns

Tags

DMN13, DMN1, DMN