NDF10N60ZH

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

10 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

650 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

47 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

39 W

構成：

独身

包装：

チューブ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

7.9 S

立ち下がり時間：

23 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

31 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.211644 oz

Tags

NDF10N60Z, NDF10N60, NDF10, NDF1, NDF