UMG3NTR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-プリバイアス

JBoss：

Y

構成：

デュアルエミッタ接地

トランジスタの極性：

NPN

一般的な入力抵抗：

4.7 kOhms

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

UMT-5

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

100

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

連続コレクタ電流：

100 mA

ピークDCコレクタ電流：

100 mA

Pd-消費電力：

100 mW

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

UMG3N

包装：

リール

DC電流ゲインhFEMax：

600

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

高さ：

0.77 mm

長さ：

2 mm

幅：

1.7 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ-プリバイアス

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

UMG3N

Tags

UMG3NTR, UMG3NT, UMG3N, UMG3, UMG