FDG6332C-F085P

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SC-70-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

0.7 A, - 0.6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

300 mOhms, 420 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

0.6 V, - 1.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Qg-ゲートチャージ：

1.5 nC, 2 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

0.3 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

2.8 S, 1.8 S

立ち下がり時間：

1.5 ns, 1.7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7 ns, 14 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

9 ns, 6 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5 ns, 5.5 ns

Tags

FDG6332C-F, FDG6332, FDG633, FDG63, FDG6, FDG