LND150N8-G

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-89-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

Id-連続ドレイン電流：

30 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1 kOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

800 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.6 W

構成：

独身

チャネルモード：

枯渇

包装：

リール

高さ：

1.6 mm

長さ：

4.6 mm

製品：

MOSFET小信号

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

FET

幅：

2.6 mm

ブランド：

マイクロチップテクノロジー

フォワード相互コンダクタンス-最小：

1 mS

立ち下がり時間：

1.3 us

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

0.45 us

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

0.1 us

典型的なターンオン遅延時間：

0.09 us

単位重量：

0.001862 oz

Tags

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