LND150N3-G

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-92-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

Id-連続ドレイン電流：

30 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1 kOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

740 mW

構成：

独身

チャネルモード：

枯渇

包装：

バルク

高さ：

5.33 mm

長さ：

5.21 mm

製品：

MOSFET小信号

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

FET

幅：

4.19 mm

ブランド：

マイクロチップテクノロジー

フォワード相互コンダクタンス-最小：

1 mOhms

立ち下がり時間：

1.3 us

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

0.45 us

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

100 ns

典型的なターンオン遅延時間：

90 ns

単位重量：

0.007760 oz

Tags

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