C3M0032120K

C3M0032120K
Mfr. #:
C3M0032120K
メーカー:
N/A
説明:
MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
C3M0032120K データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
製品属性
属性値
メーカー:
Cree、Inc。
製品カテゴリ:
MOSFET
JBoss:
Y
テクノロジー:
Si
取り付けスタイル:
スルーホール
パッケージ/ケース:
TO-247-4
チャネル数:
1 Channel
トランジスタの極性:
Nチャネル
Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧:
1200 V
Id-連続ドレイン電流:
63 A
Rds On-ドレイン-ソース抵抗:
43 mOhms
Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧:
2.5 V
Vgs-ゲート-ソース間電圧:
- 8 V, 19 V
Qg-ゲートチャージ:
118 nC
最低動作温度:
- 40 C
最高作動温度:
+ 175 C
Pd-消費電力:
283 W
構成:
独身
チャネルモード:
強化
包装:
チューブ
トランジスタタイプ:
1 N-Channel
ブランド:
Wolfspeed / Cree
立ち下がり時間:
9 ns
製品タイプ:
MOSFET
立ち上がり時間:
18 ns
ファクトリーパックの数量:
600
サブカテゴリ:
MOSFET
典型的なターンオフ遅延時間:
9 ns
典型的なターンオン遅延時間:
25 ns
Tags
C3M00, C3M0, C3M
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
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Packaging Boxes
画像 モデル 説明
C3M0065090J

Mfr.#: C3M0065090J

OMO.#: OMO-C3M0065090J

MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
C3M0065090D

Mfr.#: C3M0065090D

OMO.#: OMO-C3M0065090D

MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
C3M0065090J-TR

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MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
C3M0032120K

Mfr.#: C3M0032120K

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MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
C3M0075120K

Mfr.#: C3M0075120K

OMO.#: OMO-C3M0075120K

MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
C3M0065100J

Mfr.#: C3M0065100J

OMO.#: OMO-C3M0065100J

MOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
C3M0065090

Mfr.#: C3M0065090

OMO.#: OMO-C3M0065090-1190

ブランドニューオリジナル
C3M0075120K

Mfr.#: C3M0075120K

OMO.#: OMO-C3M0075120K-WOLFSPEED

MOSFET N-CH 1200V 30A TO247-4
C3M0065100J-TR

Mfr.#: C3M0065100J-TR

OMO.#: OMO-C3M0065100J-TR-WOLFSPEED

1000V, 65 mOhm, G3 SiC MOSFET
C3M0075120J-TR

Mfr.#: C3M0075120J-TR

OMO.#: OMO-C3M0075120J-TR-WOLFSPEED

1200V, 75 mOhm, G3 SiC MOSFET on Tape andf Reel
可用性
ストック:
Available
注文中:
2000
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参考価格(USD)
単価
小計金額
1
$34.50
$34.50
100
$33.18
$3 318.00
2021年から半導体が不足しているため、2021年以前の通常価格以下の価格です。お問い合わせください。
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