RN1117MFV,L3F

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-プリバイアス

JBoss：

Y

構成：

独身

トランジスタの極性：

NPN

一般的な入力抵抗：

10 kOhms

典型的な抵抗比：

2.13

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-723-3

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

30

最大動作周波数：

250 MHz

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

連続コレクタ電流：

100 mA

ピークDCコレクタ電流：

100 mA

Pd-消費電力：

150 mW

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

RN1117MFV

包装：

リール

エミッタ-ベース電圧VEBO：

15 V

ブランド：

東芝

チャネルモード：

強化

最大DCコレクタ電流：

100 mA

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ-プリバイアス

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000053 oz

Tags

RN1117M, RN1117, RN111, RN11, RN1