SIA417DJ-T1-GE3

SIA417DJ-T1-GE3
Mfr. #:
SIA417DJ-T1-GE3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIA427ADJ-T1-GE3
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
SIA417DJ-T1-GE3 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SIA417DJ-T1-GE3 DatasheetSIA417DJ-T1-GE3 Datasheet (P4-P6)SIA417DJ-T1-GE3 Datasheet (P7)
ECAD Model:
製品属性
属性値
メーカー:
ビシェイ
製品カテゴリ:
MOSFET
JBoss:
Y
テクノロジー:
Si
取り付けスタイル:
SMD / SMT
パッケージ/ケース:
PowerPAK-SC70-6
商標名:
TrenchFET
包装:
リール
高さ:
0.75 mm
長さ:
2.05 mm
シリーズ:
SIA
幅:
2.05 mm
ブランド:
Vishay / Siliconix
製品タイプ:
MOSFET
ファクトリーパックの数量:
3000
サブカテゴリ:
MOSFET
パーツ番号エイリアス:
SIA417DJ-GE3
単位重量:
0.070548 oz
Tags
SIA417, SIA41, SIA4, SIA
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
***nell
P CHANNEL MOSFET, -8V, 12A, SC-70
***i-Key
MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:-12000mA; Drain Source Voltage, Vds:-8V; On Resistance, Rds(on):0.095ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-1V; Power Dissipation, Pd:3.5W ;RoHS Compliant: Yes
***ment14 APAC
P CHANNEL MOSFET, -8V, 12A, SC-70; Trans; P CHANNEL MOSFET, -8V, 12A, SC-70; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-12A; Drain Source Voltage Vds:-8V; On Resistance Rds(on):95mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V; No. of Pins:6
モデル メーカー 説明 ストック 価格
SIA417DJ-T1-GE3
DISTI # SIA417DJ-T1-GE3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SIA417DJ-T1-GE3
    DISTI # SIA417DJ-T1-GE3CT-ND
    Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)
    Limited Supply - Call
      SIA417DJ-T1-GE3
      DISTI # SIA417DJ-T1-GE3DKR-ND
      Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®
      Limited Supply - Call
        SIA417DJ-T1-GE3
        DISTI # 781-SIA417DJ-T1-GE3
        Vishay IntertechnologiesMOSFET 8.0V 12A 19W 23mohm @ 4.5V
        RoHS: Compliant
        0
          SIA417DJ-T1-GE3Vishay SiliconixPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 12A I(D), 8V, 0.023OHM, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET2895
          • 2561:$0.2750
          • 572:$0.3125
          • 1:$1.0000
          画像 モデル 説明
          SIA417DJ-T1-GE3

          Mfr.#: SIA417DJ-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SIA417DJ-T1-GE3

          MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIA427ADJ-T1-GE3
          SIA417DJ-T1-GE3

          Mfr.#: SIA417DJ-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SIA417DJ-T1-GE3-VISHAY

          IGBT Transistors MOSFET 8.0V 12A 19W 23mohm @ 4.5V
          SIA417DJ-T1

          Mfr.#: SIA417DJ-T1

          OMO.#: OMO-SIA417DJ-T1-1190

          ブランドニューオリジナル
          SIA417DJ-T1-E3

          Mfr.#: SIA417DJ-T1-E3

          OMO.#: OMO-SIA417DJ-T1-E3-1190

          MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIA427ADJ-T1-GE3
          可用性
          ストック:
          Available
          注文中:
          3500
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