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SIE810DF-T1-GE3

SIE810DF-T1-GE3
Mfr. #:
SIE810DF-T1-GE3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET 20V 236A 125W 1.4mohm @ 10V
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
SIE810DF-T1-GE3 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SIE810DF-T1-GE3 DatasheetSIE810DF-T1-GE3 Datasheet (P4-P6)SIE810DF-T1-GE3 Datasheet (P7-P9)SIE810DF-T1-GE3 Datasheet (P10)
ECAD Model:
詳しくは:
SIE810DF-T1-GE3 詳しくは
製品属性
属性値
メーカー：
ビシェイ
製品カテゴリ：
MOSFET
JBoss：
E
テクノロジー：
Si
取り付けスタイル：
SMD / SMT
パッケージ/ケース：
PolarPAK-10
商標名：
TrenchFET、PolarPAK
包装：
リール
高さ：
0.8 mm
長さ：
6.15 mm
シリーズ：
SIE
幅：
5.16 mm
ブランド：
Vishay / Siliconix
製品タイプ：
MOSFET
ファクトリーパックの数量：
3000
サブカテゴリ：
MOSFET
パーツ番号エイリアス：
SIE810DF-GE3
Tags
SIE81, SIE8, SIE
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 20V 45A 10-Pin PolarPAK T/R
***ure Electronics
MOSFET 20V 236A 125W 1.4mohm @ 10V
***i-Key
MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
***
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
N-Channel PolarPAK® Power MOSFETs
Vishay Siliconix 20V to 75V PolarPAK® Power MOSFETs combine the thermal benefits of a double-sided cooling package with on-resistance down to as low as 1.4mΩ. The double-sided cooling provided by these Vishay Siliconix PolarPAK® Power MOSFETs gives designers a way to reduce system size and cost through better MOSFET thermal performance. These Vishay Siliconix PolarPAK® MOSFETs share the same footprint area as the standard SO-8 yet are twice as thin with a height profile of just 0.8 mm.
モデル メーカー 説明 ストック 価格
SIE810DF-T1-GE3
DISTI # SIE810DF-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$1.8141
SIE810DF-T1-GE3
DISTI # SIE810DF-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 45A 10-Pin PolarPAK T/R - Tape and Reel (Alt: SIE810DF-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$1.7900
  • 6000:$1.6900
  • 12000:$1.5900
  • 18000:$1.5900
  • 30000:$1.4900
SIE810DF-T1-GE3
DISTI # 781-SIE810DF-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 236A 125W 1.4mohm @ 10V
RoHS: Compliant		0
  • 1:$3.4800
  • 10:$2.8800
  • 100:$2.3700
  • 250:$2.3000
  • 500:$2.0900
  • 1000:$2.0800
  • 3000:$2.0700
SIE810DF-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 236A 125W 1.4mohm @ 10VAmericas -
    画像 モデル 説明
    SIE810DF-T1-E3

    Mfr.#: SIE810DF-T1-E3

    OMO.#: OMO-SIE810DF-T1-E3

    		 MOSFET 20V 60A 125W 1.4mohm @ 10V
    SIE810DF-T1-GE3

    Mfr.#: SIE810DF-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SIE810DF-T1-GE3

    		 MOSFET 20V 236A 125W 1.4mohm @ 10V
    SIE810DF-T1-GE3

    Mfr.#: SIE810DF-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SIE810DF-T1-GE3-VISHAY

    		 RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 236A 125W 1.4mohm @ 10V
    SIE810DF-T1-E3

    Mfr.#: SIE810DF-T1-E3

    OMO.#: OMO-SIE810DF-T1-E3-VISHAY

    		 RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 60A 125W 1.4mohm @ 10V
    可用性
    ストック:
    Available
    注文中:
    1500
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    参考価格（USD）
    量
    単価
    小計金額
    1
    $3.47
    $3.47
    10
    $2.87
    $28.70
    100
    $2.36
    $236.00
    250
    $2.29
    $572.50
    500
    $2.05
    $1 025.00
    1000
    $1.73
    $1 730.00
    2021年から半導体が不足しているため、2021年以前の通常価格以下の価格です。お問い合わせください。
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