MAGX-001214-500L0S

製品属性

属性値

メーカー：

MACOM

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

HEMT

テクノロジー：

GaN SiC

利得：

19.2 dB

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

175 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

- 8 V

Id-連続ドレイン電流：

18.1 A

出力電力：

500 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 95 C

Pd-消費電力：

583 W

取り付けスタイル：

SMD / SMT

包装：

バルク

構成：

共通ソース

動作周波数：

1.2 GHz to 1.4 GHz

動作温度範囲：

- 40 C to + 95 C

製品：

RF JFET

タイプ：

GaN SiC HEMT

ブランド：

MACOM

フォワード相互コンダクタンス-最小：

12.5 S

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

25

サブカテゴリ：

トランジスタ

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

- 3.1 V

Tags

MAGX-00121, MAGX-0012, MAGX-001, MAGX-00, MAGX-0, MAGX, MAG