RJK2075DPA-00#J5A

製品属性

属性値

メーカー：

ルネサスエレクトロニクス

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

WPAK-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

200 V

Id-連続ドレイン電流：

20 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

54 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

38 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

65 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

RJK2075

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

ルネサスエレクトロニクス

立ち下がり時間：

34 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

33 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

49 ns

典型的なターンオン遅延時間：

24 ns

Tags

RJK207, RJK20, RJK2, RJK