STI360N4F6

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-262-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

120 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.8 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

340 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

300 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

チューブ

シリーズ：

STI360N4F6

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.050717 oz

Tags

STI3, STI