BBS3002-DL-E

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

100 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4.4 mOhms

Qg-ゲートチャージ：

280 nC

Pd-消費電力：

90 W

構成：

独身

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

54 S

立ち下がり時間：

820 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

1000 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

800 ns

典型的なターンオン遅延時間：

95 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

BBS3002-D, BBS3002, BBS30, BBS3, BBS