NTGD4169FT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSOP-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

2.6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

90 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

最低動作温度：

- 25 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

900 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.94 mm

長さ：

3 mm

製品：

MOSFET小信号

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

1.5 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

4 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

14 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7 ns

単位重量：

0.000705 oz

Tags

NTGD4, NTGD, NTG