BLF8G20LS-400PVQ

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

55 mOhms

利得：

19 dB

最高作動温度：

+ 225 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-1242B

包装：

バルク

構成：

独身

動作周波数：

1805 MHz to 1995 MHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXPセミコンダクターズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

20.6 S

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

60

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

13 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.9 V

Tags

BLF8G20LS-40, BLF8G20LS-4, BLF8G20LS, BLF8G20, BLF8G2, BLF8G, BLF8, BLF