IPD70N03S4L04ATMA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

70 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3.6 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

16 V

Qg-ゲートチャージ：

48 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

68 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

高さ：

2.3 mm

長さ：

6.5 mm

シリーズ：

XPD70N03

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

6.22 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

27 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7 ns

パーツ番号エイリアス：

IPD70N03S4L-04 IPD7N3S4L4XT SP000274986

単位重量：

0.139332 oz

Tags

IPD70N03S4, IPD70N03, IPD70N0, IPD70N, IPD70, IPD7, IPD