ZXMP6A18DN8TA

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

4.8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

55 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

23 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.1 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.5 mm

長さ：

5 mm

シリーズ：

ZXMP6A18

トランジスタタイプ：

2 P-Channel

幅：

4 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

8.7 S

立ち下がり時間：

23 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5.8 ns

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

55 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4.6 ns

単位重量：

0.002610 oz

Tags

ZXMP6A18D, ZXMP6A18, ZXMP6, ZXMP, ZXM