GA08JT17-247

製品属性

属性値

メーカー：

GeneSiC半導体

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

SiC

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1.7 kV

Id-連続ドレイン電流：

8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

230 mOhms

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

91 W

構成：

独身

包装：

チューブ

シリーズ：

GA08JT17

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

GeneSiC半導体

立ち下がり時間：

50 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

28 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

73 ns

典型的なターンオン遅延時間：

30 ns

単位重量：

0.225401 oz

Tags

GA08, GA0