PSMN4R2-30MLDX

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

LFPAK56-5

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

70 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

5.7 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

2.2 V

Qg-ゲートチャージ：

29.3 nC

Pd-消費電力：

65 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

Nexperia

立ち下がり時間：

8.7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

18.5 ns

ファクトリーパックの数量：

1500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

12 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10.1 ns

単位重量：

0.001810 oz

Tags

PSMN4R2-3, PSMN4R2, PSMN4, PSMN, PSM