NXH160T120L2Q2F2SG

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

IGBTモジュール

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

製品：

IGBTシリコンモジュール

構成：

Split-T

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

600 V, 1200 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.47 V, 2.15 V

25℃での連続コレクタ電流：

100 A, 160 A

ゲートエミッタリーク電流：

300 nA, 500 nA

Pd-消費電力：

500 W

パッケージ/ケース：

Q2PACK

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 125 C

包装：

トレイ

ブランド：

オン・セミコンダクター

取り付けスタイル：

プレスフィット

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

製品タイプ：

IGBTモジュール

ファクトリーパックの数量：

12

サブカテゴリ：

IGBT

Tags

NXH1, NXH