LET9060F

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

12 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

80 V

利得：

18 dB

出力電力：

90 W

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

M250

包装：

バルク

構成：

独身

動作周波数：

1 GHz

シリーズ：

LET9060F

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

STMicroelectronics

Pd-消費電力：

130 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

15 V

Tags

LET906, LET90, LET9, LET