DMT8012LPS-13

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerDI5060-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

80 V

Id-連続ドレイン電流：

65 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

14 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

34 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.1 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1 mm

長さ：

5.8 mm

シリーズ：

DMT8012

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.9 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

-

立ち下がり時間：

3.5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

3.8 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

16.5 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4.9 ns

単位重量：

0.003386 oz

Tags

DMT801, DMT8, DMT