STAC2932BW

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

40 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

125 V

利得：

20 dB

出力電力：

300 W

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

STAC244B

包装：

バルク

構成：

デュアルコモンソース

動作周波数：

250 MHz

シリーズ：

STAC2932B

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

5 s

感湿性：

はい

Pd-消費電力：

625 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

80

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

単位重量：

0.074075 oz

Tags

STAC2932, STAC293, STAC29, STAC2, STAC, STA