APT100M50J

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

JBoss：

Y

製品：

パワーMOSFETモジュール

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

取り付けスタイル：

スクリューマウント

パッケージ/ケース：

SOT-227-4

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

チューブ

構成：

独身

高さ：

9.6 mm

長さ：

38.2 mm

幅：

25.4 mm

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

立ち下がり時間：

90 ns

Id-連続ドレイン電流：

103 A

Pd-消費電力：

960 W

製品タイプ：

ディスクリート半導体モジュール

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

28 mOhms

立ち上がり時間：

125 ns

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

商標名：

POWER MOS 8, ISOTOP

典型的なターンオフ遅延時間：

280 ns

典型的なターンオン遅延時間：

105 ns

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

単位重量：

1.058219 oz

Tags

APT100, APT10, APT1, APT