IPG20N10S4L-22A

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TDSON-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

20 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

20 mOhms, 20 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

16 V

Qg-ゲートチャージ：

27 nC, 27 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

60 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

シリーズ：

XPG20N10

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

18 ns, 18 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

3 ns, 3 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

30 ns, 30 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5 ns, 5 ns

パーツ番号エイリアス：

IPG20N10S4L22AATMA1 SP001091984

Tags

IPG20N10S4L, IPG20N1, IPG20, IPG2, IPG