IXFP22N65X2M

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

22 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

145 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

37 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

37 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

シリーズ：

650V Ultra Junction X2

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

8 S

立ち下がり時間：

18 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

37 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

42 ns

典型的なターンオン遅延時間：

30 ns

Tags

IXFP22N65, IXFP22N, IXFP22, IXFP2, IXFP, IXF