IRFH6200TR2PBF

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PQFN-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

100 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.2 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Qg-ゲートチャージ：

155 nC

Pd-消費電力：

250 W

構成：

独身

包装：

リール

高さ：

0.83 mm

長さ：

6 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

5 mm

ブランド：

インフィニオン/ IR

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

400

サブカテゴリ：

MOSFET

Tags

IRFH6, IRFH, IRF