PSMN4R3-80ES,127

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

I2PAK-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

80 V

Id-連続ドレイン電流：

120 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4.3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

104 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

306 W

構成：

独身

包装：

チューブ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

Nexperia

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.084199 oz

Tags

PSMN4R3-80E, PSMN4R3-8, PSMN4R3, PSMN4, PSMN, PSM