SSM6N16FUTE85LF

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

100 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

5.2 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.1 V

Pd-消費電力：

200 mW

構成：

デュアル

包装：

リール

高さ：

0.9 mm

長さ：

2 mm

シリーズ：

SSM6N16

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

幅：

1.25 mm

ブランド：

東芝

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

125 ns

典型的なターンオン遅延時間：

70 ns

単位重量：

0.000265 oz

Tags

SSM6N16FU, SSM6N16, SSM6N1, SSM6N, SSM6, SSM