APT80GA60LD40

Mfr. #:: APT80GA60LD40
メーカー:: Microchip / Microsemi
説明:: IGBT Transistors
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: APT80GA60LD40 データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

製品属性
属性値

メーカー

製品カテゴリ: IGBT-シングル

シリーズ: POWER MOS 8

包装: チューブ

単位重量: 0.373904 oz

取り付けスタイル: SMD / SMT

商標名: POWER MOS 8

パッケージ-ケース: TO-264-3, TO-264AA

入力方式: 標準

取付タイプ: スルーホール

サプライヤー-デバイス-パッケージ: TO-264

構成: 独身

パワーマックス: 625W

Reverse-Recovery-Time-trr: 22ns

Current-Collector-Ic-Max: 143A

電圧-コレクタ-エミッタ-故障-最大: 600V

IGBTタイプ: PT

Current-Collector-Pulsed-Icm: 240A

Vce-on-Max-Vge-Ic: 2.5V @ 15V, 47A

スイッチング-エネルギー: 840μJ (on), 751μJ (off)

ゲートチャージ: 230nC

Td-on-off-25°C: 23ns/158ns

テスト条件: 400V, 47A, 4.7 Ohm, 15V

Pd-電力損失: 625 W

最高作動温度: + 150 C

最低作動温度: - 55 C

コレクター-エミッター-電圧-VCEO-マックス: 600 V

コレクター-エミッター-飽和-電圧: 2 V

連続-コレクター-電流-at-25-C: 143 A

ゲート-エミッタ-リーク-電流: 100 nA

最大ゲート-エミッタ-電圧: 30 V

連続-コレクタ-電流-Ic-Max: 143 A

Tags: APT80GA, APT80G, APT80, APT8, APT

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APT80GA60LD40 説明

***ical: Trans IGBT Chip N-CH 600V 143A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube

***ure Electronics: IGBT,600V, 143A, 625W, TO264

***th Star Micro: Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8

***hardson RFPD: POWER IGBT TRANSISTOR

Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
APT80GA60LD40 DISTI # V36:1790_09095997	Microsemi Corporation	Trans IGBT Chip N-CH 600V 143A 3-Pin(3+Tab) TO-264 RoHS: Compliant	0
APT80GA60LD40 DISTI # APT80GA60LD40-ND	Microsemi Corporation	IGBT 600V 143A 625W TO264 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Tube	107In Stock	500:$9.5196 100:$11.1609 25:$12.1456 10:$13.1300 1:$14.4400
APT80GA60LD40 DISTI # APT80GA60LD40	Microchip Technology Inc	Trans IGBT Chip N-CH 600V 143A 3-Pin(3+Tab) TO-264 - Rail/Tube (Alt: APT80GA60LD40) RoHS: Compliant Min Qty: 41 Container: Tube	Americas - 0	410:$7.6900 205:$7.7900 123:$8.0900 82:$8.3900 41:$8.6900
APT80GA60LD40 DISTI # 494-APT80GA60LD40	Microchip Technology Inc	IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi RoHS: Compliant	52	1:$13.4900
APT80GA60LD40 DISTI # APT80GA60LD40	Microsemi Corporation	POWER IGBT TRANSISTOR RoHS: Compliant	0	41:$8.2000 100:$7.9900 500:$7.8900

関連製品

画像	モデル	説明
	Mfr.#: APT80GP60JDQ3 OMO.#: OMO-APT80GP60JDQ3	IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 600V, 80A, SOT-227
	Mfr.#: APT80GP60J OMO.#: OMO-APT80GP60J	IGBT Modules FG, IGBT, 600V, 80A, SOT-227
	Mfr.#: APT80GA90LD40 OMO.#: OMO-APT80GA90LD40	IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-264
	Mfr.#: APT80GA60LD40 OMO.#: OMO-APT80GA60LD40	IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-264
	Mfr.#: APT80GA60B OMO.#: OMO-APT80GA60B-MICROSEMI	IGBT Transistors
	Mfr.#: APT80GA60LD40 OMO.#: OMO-APT80GA60LD40-MICROSEMI	IGBT Transistors
	Mfr.#: APT80GP60JDQ3 OMO.#: OMO-APT80GP60JDQ3-1190	POWER IGBT TRANSISTOR
	Mfr.#: APT80GP60B2 OMO.#: OMO-APT80GP60B2-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: APT80GP60B2G OMO.#: OMO-APT80GP60B2G-1190	Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(3+Tab) T-MAX
	Mfr.#: APT80GP60J OMO.#: OMO-APT80GP60J-MICROSEMI	IGBT 600V 151A 462W SOT227