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SI7788DP-T1-GE3

SI7788DP-T1-GE3
Mfr. #:
SI7788DP-T1-GE3
メーカー:
Vishay
説明:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
SI7788DP-T1-GE3 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
製品属性
属性値
メーカー
VISHAY
製品カテゴリ
FET-シングル
包装
リール
パーツエイリアス
SI7788DP-GE3
単位重量
0.017870 oz
取り付けスタイル
SMD / SMT
パッケージ-ケース
SO-8
テクノロジー
Si
チャネル数
1 Channel
構成
シングルクワッドドレイントリプルソース
トランジスタタイプ
1 N-Channel
Pd-電力損失
5.2 W
最高作動温度
+ 150 C
最低作動温度
- 55 C
立ち下がり時間
18 ns
立ち上がり時間
21 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-連続-ドレイン-電流
29.5 A
Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
3.1 mOhms
トランジスタ-極性
Nチャネル
典型的なターンオフ遅延時間
45 ns
典型的なターンオン遅延時間
44 ns
チャネルモード
強化
Tags
SI7788, SI778, SI77, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ment14 APAC
N CHANNEL MOSFET, 30V, 50A, SOIC, FULL R
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:50000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.0041ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation, Pd:5.2W ;RoHS Compliant: Yes
モデル メーカー 説明 ストック 価格
SI7788DP-T1-GE3
DISTI # SI7788DP-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		Limited Supply - Call
    SI7788DP-T1-GE3
    DISTI # SI7788DP-T1-GE3DKR-ND    		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®    		Limited Supply - Call
      SI7788DP-T1-GE3
      DISTI # SI7788DP-T1-GE3TR-ND      		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 3000
      Container: Tape & Reel (TR)      		Temporarily Out of Stock
      • 3000:$1.3811
      SI7788DP-T1-GE3
      DISTI # SI7788DP-T1-GE3      		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7788DP-T1-GE3)
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 3000
      Container: Reel      		Americas - 0
      • 3000:$1.2900
      • 6000:$1.2900
      • 12000:$1.1900
      • 18000:$1.1900
      • 30000:$1.0900
      SI7788DP-T1-GE3
      DISTI # 781-SI7788DP-T1-GE3      		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V
      RoHS: Compliant      		4298
      • 1:$2.8900
      • 10:$2.4000
      • 100:$1.8600
      • 500:$1.6300
      • 1000:$1.5600
      • 3000:$1.5500
      SI7788DP-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10VAmericas -
        SI7788DP-T1-GE3
        DISTI # 2478982        		Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 50A, SOIC, FULL R
        RoHS: Compliant        		0
        • 3000:£1.2300
        • 6000:£1.2000
        SI7788DP-T1-GE3
        DISTI # 2478982        		Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 50A, SOIC, FULL REEL
        RoHS: Compliant        		0
        • 3000:$5.1000
        • 6000:$3.9100
        • 12000:$3.1400
        画像 モデル 説明
        SI7788DP-T1-GE3

        Mfr.#: SI7788DP-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI7788DP-T1-GE3

        		 MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V
        SI7788DP-T1-GE3

        Mfr.#: SI7788DP-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI7788DP-T1-GE3-VISHAY

        		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V
        SI7788DP

        Mfr.#: SI7788DP

        OMO.#: OMO-SI7788DP-1190

        		 ブランドニューオリジナル
        SI7788DP-T1-E3

        Mfr.#: SI7788DP-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI7788DP-T1-E3-1190

        		 ブランドニューオリジナル
        可用性
        ストック:
        Available
        注文中:
        3000
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        参考価格（USD）
        量
        単価
        小計金額
        1
        $1.64
        $1.64
        10
        $1.55
        $15.53
        100
        $1.47
        $147.15
        500
        $1.39
        $694.90
        1000
        $1.31
        $1 308.00
        2021年から半導体が不足しているため、2021年以前の通常価格以下の価格です。お問い合わせください。
        皮切りに
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