VT6T12T2R

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

VMT-6

トランジスタの極性：

PNP

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 50 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 0.15 V

最大DCコレクタ電流：

- 100 mA

ゲイン帯域幅積fT：

300 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

1.1

包装：

リール

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 100 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

0.9

Pd-消費電力：

150 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

VT6T12

Tags

VT6T12, VT6T1, VT6T, VT6